Transistörler - IGBT - Tekil
NGTD28T65F2WP
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTD28T65F2WP
NGTD28T65F2WP Hakkında
NGTD28T65F2WP, onsemi tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. Die (kalıp) formunda sunulan bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200A puls collector akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, motor kontrol, enerji yönetimi ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 2V @ 75A nominal Vce(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, standart input tipine ve Surface Mount montajına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok