Transistörler - IGBT - Tekil
NGTD23T120F2WP
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTD23T120F2
NGTD23T120F2WP Hakkında
NGTD23T120F2WP, onsemi tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop IGBT transistördür. Bu tekil transistör die, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 120 A darbe kolektör akımı kapasitesi ve 2.2V tipik açık durumu gerilimi ile güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel inverter tasarımlarında tercih edilir. Standart giriş tipine sahip olan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar. Die paket tipinde sunulan IGBT, özel uygulamalar ve entegrasyonlar için kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok