Transistörler - IGBT - Tekil
NGTD21T65F2WP
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTD21T65F2WP
NGTD21T65F2WP Hakkında
NGTD21T65F2WP, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip bir IGBT transistördür. 650V diyot yapısı ve 45A nominal akımı ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die paket formatında sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında güvenli bir şekilde çalışabilir. 1.9V @ 15V, 45A'deki Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreleri ve benzer yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 200A pik kollektör akımı kapasitesi ile darbe tabanlı yüksek akım devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 45A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok