Transistörler - IGBT - Tekil
NGTD20T120F2WP
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTD20T120F2WP
NGTD20T120F2WP Hakkında
NGTD20T120F2WP, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop tipi bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 1200V maksimum kolektor-emitter gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 20A nominal akımda 2.4V açık durumda gerilime sahiptir ve 100A darbe akımına dayanabilir. Die paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri devreleri, inverterler, motor sürücüleri ve değiştirici uygulamalarında kullanılır. Standard giriş tipi kontrol devrelerine uyumludur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ölçüde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok