Transistörler - IGBT - Tekil
NGTD20T120F2SWK
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTD20T120F2
NGTD20T120F2SWK Hakkında
NGTD20T120F2SWK, onsemi tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Die formunda sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır. 20A nominal akım ve 100A pulse akım kapasitesi ile, güç dönüştürme sistemlerinde, motor sürücülerinde ve endüstriyel inverter uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 2.4V (15V gate voltajında, 20A kollektör akımında) olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, yüksek sıcaklık dayanımı gerektiren uygulamalara uygundur. Trench Field Stop yapısı, hızlı anahtarlama ve düşük kayıp özelliğine katkı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok