Transistörler - IGBT - Tekil
NGTD17T65F2WP
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTD17T65F2WP
NGTD17T65F2WP Hakkında
NGTD17T65F2WP, onsemi tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. Die formunda sunulan bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 160A darbe akımı kapasitesi ve 40A'de 2V maksimum VCE(on) değeri ile etkili güç dönüştürme sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, inverter devreleri ve motor sürücüleri gibi alanlarda tercih edilir. Standard giriş tipi ve yüzey montajı özellikleri, modern elektronik tasarımlarına uyumlu kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok