Transistörler - IGBT - Tekil
NGTD17T65F2SWK
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTD17T65F2SWK
NGTD17T65F2SWK Hakkında
NGTD17T65F2SWK, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip bir IGBT transistördür. 650V kolektör-emiter kırılma gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40A nominal akımda 2V maksimum Vce(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. Darbe akımı kapasitesi 160A olan bu bileşen, Die paket formatında sağlanır ve Surface Mount montajına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışan sıcaklık aralığında güvenli işletim sağlar. Güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok