Transistörler - IGBT - Tekil
NGTD14T65F2WP
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTD14T65F2WP
NGTD14T65F2WP Hakkında
NGTD14T65F2WP, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop yapılı bir IGBT transistördür. 650V kollektör-emitör kırılma voltajı ve 120A darbe akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama görevi yapar. Die (kalıp) biçiminde sunulan bu bileşen, standart giriş tipine sahip olup -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışır. 15V kapı voltajında 35A akımında maksimum 2V açık durum voltajı ile karakterizedir. Şarj kontrolü, AC/DC güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok