Transistörler - IGBT - Tekil
NGTD13T65F2WP
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTD13T65F2WP
NGTD13T65F2WP Hakkında
NGTD13T65F2WP, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip 650V IGBT transistördür. Die (kalıp) formunda sunulan bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 120A pulse collector akımı kapasitesi, 30A'de 2.2V maksimum VCE(on) değeri ve 650V collector-emitter breakdown voltajı ile endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrolü, invertör ve solar enerji sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok