Transistörler - IGBT - Tekil
NGTD13T65F2SWK
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTD13T65F2SWK
NGTD13T65F2SWK Hakkında
NGTD13T65F2SWK, onsemi tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT bileşenidir. Die paket formatında sunulan bu transistör, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 120A darbe akımı kapasitesi ve 2.2V maksimum Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir operasyon olanağı verir. Özellikle invertör, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok