Transistörler - IGBT - Tekil
NGTD13T120F2WP
IGBT TRENCH FIELD STOP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTD13T120F2
NGTD13T120F2WP Hakkında
NGTD13T120F2WP, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 1200V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 15A nominal collector akımında Vce(on) değeri 2.4V olup, enerji kaybını minimize ederek verimli anahtarlama sağlar. Standard giriş tipi ile standart kontrolcü ve sürücü devrelerle uyumludur. Die formunda sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, kaynak makinaları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Trench Field Stop yapısı, geçiş sürelerinde iyileştirme ve kapatma kayıplarının azaltılmasını sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Wafer |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok