Transistörler - IGBT - Tekil
NGTB75N65FL2WG
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTB75N65FL2
NGTB75N65FL2WG Hakkında
NGTB75N65FL2WG, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/100A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 595W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge 310nC, reverse recovery time 80ns olup yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Td(on) 110ns, Td(off) 270ns ile hızlı açılış ve kapanış karakteristiği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Endüstriyel sürücü kontrol, enerji dönüştürme, kaynak uygulamaları ve AC/DC konverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 310 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 595 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 1.5mJ (on), 1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 110ns/270ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok