Transistörler - IGBT - Tekil
NGTB75N60SWG
IGBT 75A 600V TO-247
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTB75N60SWG
NGTB75N60SWG Hakkında
NGTB75N60SWG, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olarak tasarlanmış tekil transistör komponenttir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 75A sürekli collector akımı ve 200A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 75A akımda 2V'tir. 595W maksimum gücü ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 310nC gate charge ve 110ns/270ns on/off gecikme süreleri ile hızlı anahtarlama karakteristikleri sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Inverter, konvertör, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Ürün Obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 310 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 595 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 1.5mJ (on), 1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 110ns/270ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok