Transistörler - IGBT - Tekil
NGTB75N60FL2WG
IGBT 600V 75A TO247
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTB75N60FL2WG
NGTB75N60FL2WG Hakkında
NGTB75N60FL2WG, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V 75A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, TO-247-3 through-hole paketinde sunulmaktadır. 100A sürekli ve 200A darbe kollektör akımı, 595W maksimum güç ve 80ns geri kazanım zamanı özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uyguntur. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. UPS sistemleri, motor sürücüleri, endüstriyel invertörler ve güç elektronik dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 310 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 595 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 1.5mJ (on), 1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 110ns/270ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok