Transistörler - IGBT - Tekil
NGTB50N65FL2WG
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTB50N65FL2
NGTB50N65FL2WG Hakkında
NGTB50N65FL2WG, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 100A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 pakette sunulan bu bileşen, maksimum 200A darbe akımı ile çalışabilir ve -55°C ile +175°C arasında işletim sıcaklığına sahiptir. 2V Vce(on) düşüşü ve 220nC gate charge değerleri ile düşük kayıplı uygulamalar için tasarlanmıştır. Switching energy değerleri (on için 1.5mJ, off için 460µJ) ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. 417W maksimum güç yeteneği ve 94ns reverse recovery time ile endüstriyel sürücü devreleri, inverted uygulamalar, solar konvertörleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 220 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 417 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 94 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 1.5mJ (on), 460µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 100ns/237ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok