Transistörler - IGBT - Tekil

NGTB40N120FL2WG

IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
NGTB40N120FL2

NGTB40N120FL2WG Hakkında

NGTB40N120FL2WG, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu komponent, 1200V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır ve maksimum 80A sürekli akım taşıyabilir. Pulsed akım kapasitesi 200A'e ulaşmaktadır.

TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, inverter devrelerinde ve endüstriyel motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 313nC gate charge değeri ve kısa switching time (116ns on, 286ns off) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 535W güç tüketebilir. Yüksek akım ve voltaj uygulamalarında tercih edilen güvenilir bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Gate Charge 313 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 535 W
Reverse Recovery Time (trr) 240 ns
Supplier Device Package TO-247
Switching Energy 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 116ns/286ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok