Transistörler - IGBT - Tekil
NGTB30N135IHRWG
IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTB30N135IH
NGTB30N135IHRWG Hakkında
NGTB30N135IHRWG, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop tabanlı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 1350V collector-emitter breakdown voltajı ve 60A maksimum collector akımı özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 394W maksimum güç dağıtabilir. 250ns kapalı geçiş süresi (Td off) ve düşük 2.65V on-state voltajı (Vce(on)) sayesinde yüksek frekans uygulamalarında verimli çalışır. -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve tıbbi cihazlarda kullanılmaya uygundur. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılan bu komponentin üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 234 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 394 W |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 850µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/250ns |
| Test Condition | 600V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.65V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok