Transistörler - IGBT - Tekil
NGTB25N120SWG
IGBT 25A 1200V TO-247
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTB25N120SWG
NGTB25N120SWG Hakkında
NGTB25N120SWG, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench teknolojili IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 25A sürekli kollektör akımı ve 1200V kesme gerilimi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, endüstriyel sürücüler, UPS sistemleri ve enerji dönüştürme devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 178 nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 87ns (on) ve 179ns (off) komütasyon süreleri ile verimli işletme mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 178 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 385 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 154 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 1.95mJ (on), 600µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 87ns/179ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok