Transistörler - IGBT - Tekil
NGTB25N120IHLWG
IGBT 1200V 50A TO247
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTB25N120IHL
NGTB25N120IHLWG Hakkında
NGTB25N120IHLWG, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V 50A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 192W maksimum güç kapasitesi ile sürücü devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, kaynak cihazlarında ve endüstriyel motor kontrol uygulamalarında yer alır. 200 nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar, 235ns kapalı duruma geçiş süresi ile verimli komütasyon gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 200 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 192 W |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 800µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/235ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok