Transistörler - IGBT - Tekil
NGTB20N60L2TF1G
IGBT 600V 20A TO3PF
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTB20N60L2TF
NGTB20N60L2TF1G Hakkında
NGTB20N60L2TF1G, onsemi tarafından üretilen 600V, 20A nominal akımlı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-3PFM paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40A maksimum collector akımı ve 80A pulse akımı desteği ile, inverter devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel şalter uygulamalarında yer bulur. 1.65V on-state voltajı düşük ısıl kayıplar sağlarken, 84nC gate charge hızlı anahtarlama için gerekli güç tüketimini minimize eder. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında 64W güç dağıtabilen bu bileşen, 70ns reverse recovery time ile düşük EMI emisyonları sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 84 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 64 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PF-3 |
| Td (on/off) @ 25°C | 60ns/193ns |
| Test Condition | 300V, 20A, 30Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.65V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok