Transistörler - IGBT - Tekil
NGTB10N60R2DT4G
IGBT 600V 20A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTB10N60R2DT
NGTB10N60R2DT4G Hakkında
NGTB10N60R2DT4G, onsemi tarafından üretilen 600V rated IGBT transistörüdür. 20A sürekli collector akımı ve 40A pulsed akım kapasitesine sahiptir. DPak (TO-252-3) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, switching uygulamalarında, AC/DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve industrial kontrol sistemlerinde kullanılır. 53nC gate charge ile hızlı switching performansı sağlar ve 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. 2.1V Vce(on) değeriyle enerji verimli tasarımlar için uygundur. Cihazın durumu 'Obsolete' olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 53 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 72 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90 ns |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Switching Energy | 412µJ (on), 140µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 48ns/120ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 30Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok