Transistörler - IGBT - Tekil
NGTB03N60R2DT4G
IGBT 9A 600V DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTB03N60R2DT4G
NGTB03N60R2DT4G Hakkında
NGTB03N60R2DT4G, onsemi tarafından üretilen 600V 9A IGBT transistördür. TO-252-3 (DPAK) SMD paket içinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum collector akımı 9A (darbe akımı 12A), veri sayfasında belirtilen test koşullarında (300V, 3A, 30Ohm) Vce(on) 2.1V'dir. 17nC gate charge ve 50µJ on, 27µJ off switching energy ile verimli anahtarlama sağlar. Açılma/kapanma gecikmesi sırasıyla 27ns/59ns, reverse recovery time 65ns'dir. Maksimum 49W güç tüketimi ve 175°C işletme sıcaklığında çalışabilir. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 17 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 49 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65 ns |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Switching Energy | 50µJ (on), 27µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/59ns |
| Test Condition | 300V, 3A, 30Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok