Transistörler - IGBT - Tekil
NGD8209NT4G
IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGD8209N
NGD8209NT4G Hakkında
NGD8209NT4G, Littelfuse tarafından üretilen 410V Collector-Emitter Breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 12A DC ve 30A darbe akımında çalışabilir. 2.3V on-state voltajı (Vce) ile düşük kayıp özellikleri sunar. -55°C ile 175°C arasında sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. Logic seviyesi giriş kontrolü ile MOSFET benzeri kullanım kolaylığı sunar. Anahtarlama uygulamaları, AC motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışı durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 94 W |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 4.5V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 445 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok