Transistörler - IGBT - Tekil
NGD8205ANT4G
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGD8205
NGD8205ANT4G Hakkında
NGD8205ANT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) türü yarı iletken komponenttir. Maksimum 20A sabit kolektör akımı ve 50A pulse akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 390V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 125W maksimum güç derecelendirmesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmaktadır. Logic giriş tipi ve Surface Mount montaj şekline sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. 4.5V gate voltajında 20A akımda maksimum 1.9V Vce(on) değerine sahiptir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç dönüştürücülerinde uygulanabilir. Ürün halen obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 125 W |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/5µs |
| Test Condition | 300V, 9A, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 390 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok