Transistörler - IGBT - Tekil
NGD8201NT4G
IGBT 440V 20A 125W DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGD8201
NGD8201NT4G Hakkında
NGD8201NT4G, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 440V breakdown voltajı ve 20A sürekli kolektör akımı ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maximum 125W güç tüketimine sahip bu transistör, DPAK (TO-252) yüzey montajı kasa tipinde sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 5µs kapalı duruma geçiş süresi ile orta hız anahtarlama uygulamalarına uygundur. SMPS, motor kontrolü ve güç dönüştürme devrelerinde yer alır. Dikkat: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 125 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Td (on/off) @ 25°C | -/5µs |
| Test Condition | 300V, 9A, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 440 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok