Transistörler - IGBT - Tekil

NGD18N45CLBT4G

IGBT 500V 18A DPAK

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NGD18N45CLBT4G

NGD18N45CLBT4G Hakkında

NGD18N45CLBT4G, Littelfuse tarafından üretilen 500V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 18A sürekli kolektör akımı ve 50A darbe akımı kapasitesine sahip bu komponent, DPak (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Logic seviyesi giriş kontrolüne uygun olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. 2.3V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Maksimum 115W güç dağıtım kapasitesine sahip olan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Hızlı anahtarlama karakteristiği (420ns açılış, 2.9µs kapanış) ile verimli güç işleme sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 18 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 50 A
Input Type Logic
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 115 W
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Td (on/off) @ 25°C 420ns/2.9µs
Test Condition 300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 4.5V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok