Transistörler - IGBT - Tekil
NGD18N45CLBT4G
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGD18N45CLBT4G
NGD18N45CLBT4G Hakkında
NGD18N45CLBT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen yalıtımlı kapı bipolar transistörü (IGBT) olup, TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 18A collector akımı ve 500V collector-emitter kırılma gerilimi ile tasarlanmıştır. Maximum 115W güç dağıtma kapasitesine sahip olan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına uyumludur. Vce(on) değeri 7A'de 2.3V olarak belirlenmiştir. Logic tipi giriş kontrolü ile hızlı anahtarlama özellikleri (420ns açılış, 2.9µs kapanış) içerir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve güç inverter devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Şu anda kullanımdan kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 115 W |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Td (on/off) @ 25°C | 420ns/2.9µs |
| Test Condition | 300V, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 4.5V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok