Transistörler - IGBT - Tekil
NGD15N41ACLT4G
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGD15N41ACL
NGD15N41ACLT4G Hakkında
NGD15N41ACLT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen insulated gate bipolar transistor (IGBT) bileşenidir. 15A collector akımı ve 440V breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Logic giriş tipine sahip olan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile PCB tasarımlarına entegre edilir. Vce(on) değeri 2.2V (4V gate voltajında, 10A akımda) olup, 107W maksimum güç dağıtabilir. Switching uygulamalarında, güç yönetiminde ve motor kontrol devrelerinde kullanım alanı bulur. 4µs off-delay süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 107 W |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/4µs |
| Test Condition | 300V, 6.5A, 1kOhm |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 4V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 440 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok