Transistörler - IGBT - Tekil
NGB8207NT4G
IGBT 365V 20A 165W D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGB8207NT
NGB8207NT4G Hakkında
NGB8207NT4G, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 365V kollektör-emitör kırılma voltajı ve maksimum 20A sürekli akım, 50A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. D2PAK yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 165W maksimum güç yönetimine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Vce(on) değeri 4V gate voltajında 20A akımda 2.6V olarak belirlenmiştir. Endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir seçenektir. Düşük on-state voltajı ve kompakt paket tasarımı ısı dağıtımını kolaylaştırır. Bu ürün artık üretimdeki ürünler arasında bulunmamaktadır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 165 W |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 4V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 365 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok