Transistörler - IGBT - Tekil

NGB8207BNT4G

IGBT 365V 20A 165W D2PAK3

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NGB8207

NGB8207BNT4G Hakkında

NGB8207BNT4G, Littelfuse tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 365V maksimum besleme voltajında 20A sürekli kolektör akımı sağlayabilir ve 165W güç yayabilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajı kasa ile sunulan bu bileşen, Vce(on) değeri 4V gate voltajında 2.6V olup düşük iletim kaybı karakteristiğine sahiptir. 50A nabız akımı kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilmektedir. IGBT'ler güç anahtarlaması uygulamalarında, şu an üretime devam edilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 50 A
Input Type Logic
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power - Max 165 W
Supplier Device Package D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 4V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 365 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok