Transistörler - IGBT - Tekil
NGB8207BNT4G
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGB8207
NGB8207BNT4G Hakkında
NGB8207BNT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde surface mount olarak tasarlanmıştır. 20A maksimum collector akımı ve 365V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2.6V on-state voltajı (Vce) ve 165W maksimum güç kapasitesi ile DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yer bulur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Bileşen Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 165 W |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 4V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 365 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok