Transistörler - IGBT - Tekil
NGB8207ANT4G
IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGB8207
NGB8207ANT4G Hakkında
NGB8207ANT4G, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 365V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 20A nominal akım kapasitesi ile medium güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Surface mount D²PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu bileşen, 165W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 3.7V gate voltajında 10A akımda 2.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Nota bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 165 W |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 3.7V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 365 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok