Transistörler - IGBT - Tekil
NGB8207ABNT4G
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGB8207AB
NGB8207ABNT4G Hakkında
NGB8207ABNT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. TO-263-3 (D²Pak) SMD pakete sahip olan bu transistör, 20A collector akımı ve 365V breakdown voltajı ile çalışır. 3.7V gate voltajında 10A collector akımında 2.2V Vce(on) değerine sahiptir. Maksimum 165W güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir şekilde performans gösterir. Pulse uygulamalarında 50A akım taşıyabilmesi sayesinde inverter, motor kontrol, AC/DC dönüştürücü ve güç anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. Logic seviyesi gate sürüşüne uyumlu tasarımı standart kontrol sinyalleriyle kolayca konfigüre edilebilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 165 W |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 3.7V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 365 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok