Transistörler - IGBT - Tekil

NGB8206NSL3G

IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NGB8206NSL3G

NGB8206NSL3G Hakkında

NGB8206NSL3G, Rochester Electronics tarafından üretilen bir tekil IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 350V kat dayanım voltajı ve 20A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 150W maksimum güç seviyesinde çalışabilir. Vce(on) maksimum değeri 4.5V gate voltajında ve 20A akımında 1.9V'dur. Lojik giriş tipine sahip olan bu IGBT, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete). 390V kollektör-emitter kırılma voltajı ile endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Input Type Logic
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power - Max 150 W
Supplier Device Package D²PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 390 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok