Transistörler - IGBT - Tekil
NGB8206NG
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGB8206NG
NGB8206NG Hakkında
NGB8206NG, Rochester Electronics tarafından üretilen D2PAK paket türünde bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 390V Collector-Emitter breakdown voltajı, 20A maksimum collector akımı ve 150W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 50A pulsed collector akımı kapasitesi ile geçici yüksek akım uygulamalarını destekler. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Vce(on) değeri 1.9V (4.5V gate voltajında 20A akımda) olup, hızlı açılıp kapanma özellikleri (5µs turn-off zamanı) sayesinde anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç dönüştürme, motor kontrol, UPS sistemleri ve endüstriyel inverter devrelerinde kullanıma uygundur. Surface mount paketlemesi kompakt tasarımlar için avantajlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Td (on/off) @ 25°C | -/5µs |
| Test Condition | 300V, 9A, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 390 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok