Transistörler - IGBT - Tekil
NGB8206ANTF4G
IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGB8206AN
NGB8206ANTF4G Hakkında
NGB8206ANTF4G, Rochester Electronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 20A maksimum Ic akımı ve 50A pulse akımı özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 390V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 1.9V Vce(on) değerleri ile endüstriyel denetim, motor sürücüleri ve dc-dc dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 150W maksimum güç dağıtabilir. 5µs kapalı geçiş süresi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Td (on/off) @ 25°C | -/5µs |
| Test Condition | 300V, 9A, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 390 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok