Transistörler - IGBT - Tekil
NGB8206ANSL3G
IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGB8206
NGB8206ANSL3G Hakkında
NGB8206ANSL3G, Rochester Electronics tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 20A maksimum collector akımı ve 50A pulse akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, 390V maksimum collector-emitter breakdown voltajında çalışır. Surface mount TO-263-3 (D²Pak) pakette sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığına dayanıklıdır. 1.9V maksimum Vce(on) değeri ile verimli iletim özellikleri sağlar. Logic input tipinde kontrol edilen bu IGBT, 150W maksimum güç kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve endüstriyel elektrik sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Td (on/off) @ 25°C | -/5µs |
| Test Condition | 300V, 9A, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 390 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok