Transistörler - IGBT - Tekil
NGB8204NT4G
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGB8204NT
NGB8204NT4G Hakkında
NGB8204NT4G, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 430V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 18A DC collector akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile sağlanan bu bileşen, 115W maksimum güç disipasyonu gerektiren uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olup, endüstriyel denetim devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Lojik seviyesi giriş kontrolüne uyumlu tasarımı sayesinde modern entegre devreleri ile kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 115 W |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 4V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 430 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok