Transistörler - IGBT - Tekil
NGB8204ANT4G
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGB8204ANT4G
NGB8204ANT4G Hakkında
NGB8204ANT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 18A collector akımı ve 50A pulsed akımı ile çalışır. 430V collector-emitter breakdown voltajı, 115W maksimum güç derecelendirmesi ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile uygulamalar için tasarlanmıştır. Logic input tipine sahip olan bileşen, 4V gate voltajında 15A akımda maksimum 2.5V Vce(on) değerine sahiptir. Surface mount teknolojisine uygun olan bu IGBT, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve endüstriyel sürücü sistemlerinde kullanılır. Bileşen güncel olarak discontinued durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 115 W |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 4V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 430 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok