Transistörler - IGBT - Tekil
NGB18N40CLBT4G
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGB18N40CLBT4G
NGB18N40CLBT4G Hakkında
NGB18N40CLBT4G, onsemi tarafından üretilen 430V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 18A sürekli collector akımı ve 50A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 2.5V maksimum VCE(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 115W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile sunucu power supply'leri, motor kontrolü, endüstriyel invertör ve welding ekipmanları gibi güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 115 W |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 4V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 430 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok