Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NESG2107M33-T3-A
RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NESG2107M33
NESG2107M33-T3-A Hakkında
NESG2107M33-T3-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN tipinde RF transistörüdür. 10GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışan bu bileşen, 2GHz'de 0.9dB ile 1.5dB arasında noise figure sunmaktadır. 7dB-10dB kazanç karakteristiğine sahip olan transistör, RF amplifikasyon, osilatör ve switch uygulamalarında kullanılır. 3-SuperMiniMold (M33) yüzey monte paketinde sunulan bu komponent, 130mW maksimum power dissipation kapasitesine ve 150°C junction temperature toleransına sahiptir. DC akım kazancı 5mA collector akımında ve 1V Vce'de en az 140'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 5mA, 1V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 7dB ~ 10dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 130mW |
| Supplier Device Package | 3-SuperMiniMold (M33) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok