Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NESG2107M33-A
RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NESG2107M33
NESG2107M33-A Hakkında
NESG2107M33-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN bipolar RF transistörüdür. 10GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç RF devrelerinde çalışır. 0.9-1.5dB noise figure (2GHz'de) sayesinde hassas RF ön-amplifikatör, düşük gürültü (LNA) ve RF mikseri uygulamalarında tercih edilir. 7-10dB kazanç karakteristiği ile sinyal güçlendirme devreleri için uygundur. 3-SMD flat lead paketinde sunulan bu transistör, 150°C junction sıcaklığına kadar çalışabilir. Mevcut üretim durdurulmuş (obsolete) durumda olup, arşiv ve onarım projelerinde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 5mA, 1V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 7dB ~ 10dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 130mW |
| Supplier Device Package | 3-SuperMiniMold (M33) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok