Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NESG2101M05-T1-A
NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-343F
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NESG2101
NESG2101M05-T1-A Hakkında
NESG2101M05-T1-A, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN silisyum-germanium (SiGe) RF transistörüdür. 17GHz transition frequency ile yüksek hızlı RF uygulamalarında kullanılır. 1GHz-2GHz frekans aralığında 0.6dB-1.2dB noise figure sunmakta, 11dB-19dB kazanç sağlamaktadır. Maksimum 100mA kollektor akımı ve 500mW güç disipasyonuna sahiptir. Surface Mount teknolojisi ile SOT-343F paketinde sunulan bu bileşen, RF amplifikatör, düşük gürültülü ön uç ve haberleşme sistemlerinde uygulanabilir. 5V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile dayanıklılık sağlar. Parça obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 15mA, 2V |
| Frequency - Transition | 17GHz |
| Gain | 11dB ~ 19dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Package / Case | SOT-343F |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Supplier Device Package | M05 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok