Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NESG2101M05-A
RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05
- Paket/Kılıf
- SOT-343F
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NESG2101M05
NESG2101M05-A Hakkında
NESG2101M05-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 17GHz transition frequency ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile kompakt sinyal amplifikasyon görevleri için uygundur. 1-2GHz frekans aralığında 0.6-1.2dB noise figure özellikleri taşır. 11-19dB gain aralığında çalışır. SOT-343F yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, RF amplifikatörleri, sinyal ön işlemcileri ve geniş bant haberleşme devrelerinde kullanılır. 500mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile mobil haberleşme, uydu haberleşmesi ve endüstriyel RF sistemlerinde yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 15mA, 2V |
| Frequency - Transition | 17GHz |
| Gain | 11dB ~ 19dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-343F |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 500mW |
| Supplier Device Package | M05 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok