Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NESG2046M33-T3-A
RF TRANS NPN 5V 18GHZ 3SMINMOLD
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NESG2046M33
NESG2046M33-T3-A Hakkında
NESG2046M33-T3-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. 18GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Maksimum 40mA collector akımı, 5V collector-emitter breakdown voltajı ve 130mW güç tüketim sınırlaması ile çalışır. DC current gain (hFE) minimum 140 değerinde, 0.8dB-1.5dB noise figure özelliğine sahiptir. 3-SMD flat lead paketinde sunulan bu bileşen, RF amplifikatör, osilatör ve düşük gürültülü ön uç uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilir. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 2mA, 1V |
| Frequency - Transition | 18GHz |
| Gain | 9.5dB ~ 11.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 130mW |
| Supplier Device Package | 3-SuperMiniMold (M33) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok