Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NESG2046M33-A

RF TRANS NPN 5V 18GHZ 3SMINMOLD

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
NESG2046M33

NESG2046M33-A Hakkında

NESG2046M33-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN bipolar RF transistöründür. 18GHz transition frequency ile yüksek frekanslı RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 40mA maksimum kolektör akımı ile düşük güç RF devrelerinde çalışır. 2GHz'de 0.8-1.5dB noise figure ve 9.5-11.5dB gain karakteristikleri sunarak işaret zayıflayan uygulamalarda düşük gürültülü amplifikasyon sağlar. 3-SuperMiniMold (M33) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, cep telefonu, satelit haberleşme ve diğer RF alıcı devreleri gibi uygulamalarda kullanılmıştır. Bileşen yaşlandırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 40mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition 18GHz
Gain 9.5dB ~ 11.5dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 130mW
Supplier Device Package 3-SuperMiniMold (M33)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok