Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NESG2030M04-T2-A
TRANS NPN 2GHZ SOT-343
- Paket/Kılıf
- SOT-343F
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NESG2030M04
NESG2030M04-T2-A Hakkında
NESG2030M04-T2-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörtür. 2GHz frekans bandında RF uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, SOT-343F yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 60GHz transition frekansı ve 16dB kazancı ile geniş bant sinyal amplifikasyonu sağlar. Maksimum 35mA kolektör akımı ve 80mW güç dissipasyonu kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 2GHz'de 0.9-1.1dB gürültü şekli, alıcı ve kızılötesi ön amplifikatör devreleri gibi hassas RF amplifikasyon gerektiren sistemlerde uygulanabilir. Şu anda üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 5mA, 2V |
| Frequency - Transition | 60GHz |
| Gain | 16dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz |
| Package / Case | SOT-343F |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 80mW |
| Supplier Device Package | M04 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.3V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok