Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NESG2021M16-T3-A

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
NESG2021M16

NESG2021M16-T3-A Hakkında

NESG2021M16-T3-A, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde RF küçük sinyal transistörüdür. 25GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 35mA kolektör akımı, 175mW güç tüketimi ve 5V çöküş gerilimi özellikleriyle RF amplifikatör, düşük gürültü ön aşama (low noise amplifier) ve mikser devrelerinde uygulanır. 2GHz-5.2GHz frekans aralığında 0.9dB-1.3dB gürültü faktörü ve 10dB-18dB kazanç değerlerine sahiptir. Surface mount 6-SMD, flat leads paketinde sunulan bileşen, uydu haberleşme, kablosuz iletişim ve tıbbi görüntüleme gibi RF sistemlerinde kullanılır. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 35mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 130 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition 25GHz
Gain 10dB ~ 18dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 175mW
Supplier Device Package M16, 1208
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok