Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE856M02-T1-AZ
SAME AS 2SC5336 NPN SILICON AMPL
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE856M02
NE856M02-T1-AZ Hakkında
NE856M02-T1-AZ, CEL tarafından üretilen NPN silikon RF amplifikatör transistörüdür. 2SC5336 ile uyumludur. Surface mount TO-243AA (SOT-89) paketinde sunulan bu transistör, 6.5GHz transition frequency ve 1.8dB noise figure ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılır. 100mA maksimum kollektör akımı, 12dB kazanç ve 1.2W maksimum güç disipasyonu ile düşük gürültülü amplifikatör devrelerinde, mobil iletişim, radar ve uydu haberleşme sistemlerinde uygulanabilir. 150°C çalışma sıcaklığı ve 12V kollektör-emiter breakdown voltajı ile çeşitli endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 6.5GHz |
| Gain | 12dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 1.2W |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok