Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE856M02-AZ
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE856M02
NE856M02-AZ Hakkında
NE856M02-AZ, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF NPN bipolar transistördür. 6.5GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılan bu bileşen, maksimum 100mA collector akımı ve 12V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 1.1dB gürültü figürü ve 12dB kazancı ile RF amplifikasyon, düşük gürültü ön aşaması ve sinyal işleme devrelerinde uygulanır. SOT-89 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 150°C maksimum junction sıcaklığında 1.2W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Mikrodalga frekans bandında çalışan haberleşme cihazları, radar sistemleri ve RF alıcı tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 6.5GHz |
| Gain | 12dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.2W |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok